یادداشت فنی

مشکلات معمول در فرآیند دیپ کوتینگ

مشکلات معمول در فرآیند دیپ کوتینگ

بر اساس دو عامل اصلی که پوشش غوطه‌ور به آن حساس است، دو نوع اساسی از عیوب پوشش غوطه‌ور وجود دارد. این گروه‌ها عبارتند از عیوب ناشی از ناپایداری دیپ کوتر یا تغییر در سرعت برداشت و دیگری عیوب ناشی از عناصر خارجی مانند محیطی که بستر در آن پوشانده شده است یا ویژگی‌های ویسکوالاستیک و شیمیایی سیال

تئوری دیپ کوتینگ

تئوری دیپ کوتینگ

هنگامی که بستر از مایع خارج می‌شود، بخشی از مایع روی آن تحت تاثیر نیروهای تخلیه به سمت حمام سیال باز می‌گردد. از سوی دیگر نیروهای ویسکوز تمایل دارند مایع را روی سطح حفظ کنند. ضخامت لایه تشکیل شده روی سطح از تعادل بین این دو نیرو تعیین می‌شود.

نکات مرتبط با پوشش‌دهی غوطه‌وری (دیپ کوتینگ)

نکات مرتبط با پوشش‌دهی غوطه‌وری (دیپ کوتینگ)

پوشش‌دهی غوطه‌وری (دیپ کوتینگ) یک روش تولید سریع و کارآمد است که در بخش‌های مختلف صنعتی و آزمایشگاهی برای ساخت لایه‌های نازک استفاده می‌شود. مزیت این روش نسبت به دیگر روش‌ها، سهولت طراحی و قیمت پایین برای اجرای آن است. با این روش می‌توان فیلم‌هایی با یکنواختی بالا و زبری در سطح نانومتر، با هزینه‌ای ارزان برای راه‌اندازی و نگه‌داری ایجاد کرد.

مولفه‌های اسید-باز ون در‌ والس کشش سطح جامدات

مولفه‌های اسید-باز ون در‌ والس کشش سطح جامدات

Lifshitz-van der Waals/Lewis Acid–Base (LW–AB) Components of Solid Surface Tensions مولفه‌های اسید-باز ون در‌ والس کشش سطح جامدات     مرجع (mN/m) γ–S دهنده الکترون (mN/m) γ+S پذیرنده الکترون (mN/m) γLWS مولفه ون در والس (mN/m) γS کشش سطحی کل

مولفه‌های اسید-باز ون در والس کشش سطح مایعات

مولفه‌های اسید-باز ون در والس کشش سطح مایعات

Lifshitz-van der Waals/Lewis Acid–Base (LW–AB) Components of Liquid Surface Tensions مولفه‌های اسید-باز ون در والس کشش سطح مایعات     مرجع γ–L (mN/m) دهنده الکترون γ+L (mN/m) پذیرنده الکترون γLWL (mN/m) مولفه ون در والس (℃) دما فرمول شیمیایی سیال